4 INCH C-PLANE(0001) SAPPHIRE WAFERS
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4 INCH C-PLANE(0001) SAPPHIRE WAFERS

Wafer saphir is being used extensively as a substrate for III-V nitrides and for many other epitaxial films. We supply 99.999% high purity c axis sapphire with an excellent surface finish to meet your rigorous requirements.

Specifications of 4 Inch C-plane(0001) Sapphire Wafer

Item

4-inch C-plane(0001) 650μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99,999%, High Purity, Monocrystalline Al2O3

Grade

Prime, Epi-Ready

Surface Orientation

C-plane(0001)

C-plane off-angle toward M-axis 0.2 +/- 0.1°

Diameter

100.0 mm +/- 0.1 mm

Thickness

650 μm +/- 25 μm

Primary Flat Orientation

A-plane(11-20) +/- 0.2°

Primary Flat Length

30.0 mm +/- 1.0 mm

Single Side Polished

Front Surface

Epi-polished, Ra < 0.2 nm (by AFM)

(SSP)

Back Surface

Fine ground, Ra = 0.8 μm to 1.2 μm

Double Side Polished

Front Surface

Epi-polished, Ra < 0.2 nm (by AFM)

(DSP)

Back Surface

Epi-polished, Ra < 0.2 nm (by AFM)

TTV

< 20 μm

BOW

< 20 μm

WARP

< 20 μm

Cleaning / Packaging

Class 100 cleanroom cleaning and vacuum packaging,

25 pieces in one cassette packaging or single piece packaging.

Note: Custom sapphire wafers with any orientation and any thickness can be provided.

specialized in high-quality sapphire wafers and optical windows since 2008. We provide custom sapphire optics, sapphire rod, sapphire ingot, Al2O3 substrate and etc. Want to know more? Please contact us.

Ubicación : No. 49, Jiefang East Road, Shanyang District, JIAOZUO 454000, HENAN, CHINA, 454000 Jiaozuo,
Persona a contactar : Zhu Wind, +86 0391 393 3936

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Jueves 06 agosto 2015

Cantidad : 30 sets

The Z axis utilizes AC servo motor. N C programmable functions The Circle Angle of Sparking is lower than 0.02mm The best surface roughness (Ra) is better than 0.1 µm. High speed and long distance jumping. Special rib shape machining function. Specification T30 T50 T60 X...

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Miércoles 15 abril 2015

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